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HSM4002
1个N沟道 耐压:40V 电流:7.5A
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- 描述
- HSM4002 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM4002 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 通过易感性雪崩耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM4002
- 商品编号
- C508785
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSM4002是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM4002符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的dv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术