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HSM4606
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7A 6A
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- 描述
- HSM4606是高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM4606符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保符合EAS标准。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM4606
- 商品编号
- C508784
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V；18.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 388pF@15V；926pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@15V；97pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSM4606 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM4606 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 通过全功能可靠性认证，确保符合 EAS 标准。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术