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HSM1641
1个N沟道+1个P沟道
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- 描述
- HSM1641 是具有高单元密度的高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM1641 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，保证 100% 无铅。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM1641
- 商品编号
- C508783
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V；11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.013nF@15V；1.415nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@15V；102pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSM1641 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM1641 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，经 100% 易雪崩击穿能力（EAS）保证，具备全面的功能可靠性。
商品特性
- 100% 易雪崩击穿能力（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术