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DMN1019USN-13
1个N沟道 耐压:12V 电流:9.3A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1019USN-13
- 商品编号
- C507832
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V,9.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 680mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50.6nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.426nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 栅极具备 ESD 保护
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过 AEC-Q101 标准认证，可靠性高
应用领域
- 负载开关
- DC-DC 转换器
- 电源管理功能