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HXM04P30SG
场效应管(MOSFET)
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- 描述
- P沟道，漏源电压：30V，连续漏极电流：4.1A，导通电阻：60mΩ@10V，耗散功率：2W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- HXM04P30SG
- 商品编号
- C49435628
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 高功率和高电流处理能力
- VDS = -30V,ID = -4.1A
- 当VGS = -10V时,RDS(导通) < 60 mΩ
- SOT-23-6封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理