- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXM04P30SG
场效应管(MOSFET)
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- 描述
- P沟道，漏源电压：30V，连续漏极电流：4.1A，导通电阻：60mΩ@10V，耗散功率：2W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- HXM04P30SG
- 商品编号
- C49435628
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 高功率和高电流处理能力
- VDS = -30V,ID = -4.1A
- 当VGS = -10V时,RDS(导通) < 60 mΩ
- SOT-23-6封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理