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BC2302
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：20V，连续漏极电流：3.3A，导通电阻：45mΩ@4.5V，耗散功率：0.9W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- BC2302
- 商品编号
- C49435664
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)
- 高功率和大电流处理能力
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(on) < 45 mΩ
- SOT-23封装
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理
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