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BC3400
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：30V，连续漏极电流：5.8A，导通电阻：35mΩ@10V，耗散功率：1.2W，MOSFET产品
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- BC3400
- 商品编号
- C49435663
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V；40mΩ@4.5V；35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级1级
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理