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BSS138K
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：50V，连续漏极电流：220mA，导通电阻：3Ω@5V，耗散功率：350mW，小电流MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- BSS138K
- 商品编号
- C49435660
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 50V,漏极电流(ID) = 0.22A
- 栅源电压(VGS) = 5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 3 Ω
- 栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 2Ω
- 静电放电(ESD)等级:人体模型(HBM)2300V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装