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BSS84K
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- P沟道，漏源电压：60V，连续漏极电流：180mA，导通电阻：10Ω@5V，耗散功率：225mW，小电流MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- BSS84K
- 商品编号
- C49435658
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- 静电放电(ESD)保护
- 无卤和无锑(HAF),符合 RoHS 标准
应用领域
- 便携式电器