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MMBT7002
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:60V,连续漏极电流:115mA,导通电阻5Ω@10V,500mA
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- MMBT7002
- 商品编号
- C49435597
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@5V；5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 高饱和电流能力
- 高速开关