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MMBT7002K
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:60V,连续漏极电流:340mA,导通电阻3Ω@10V,500mA,耗散功率:350mW
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- MMBT7002K
- 商品编号
- C49435598
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD先进的功率沟槽技术制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 静电放电(ESD)防护能力高达2KV
应用领域
- 电信、工业自动化领域的电源管理
- 电机驱动和不间断电源
- DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换