温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PGD10N100
100V/65A N沟道高级功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：快速开关。 低导通电阻和品质因数。 低栅极电荷。应用：高频开关。 同步整流
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PGD10N100
- 商品编号
- C49384204
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |