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PTD40P40
P沟道 40V 40A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD40P40
- 商品编号
- C49384208
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 262pF |
商品特性
- VDS = -40V,ID = -40A
- RDS(ON) < 13 m Ω(在 VGS = -10 V 时)
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 采用散热性能良好的出色封装
- TO - 252
应用领域
- 电池和负载开关