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PTL04C03
N沟道+P沟道 30V 4.2A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTL04C03
- 商品编号
- C49384228
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A；5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V；35mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@10V；11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF；340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF；77pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；115pF |