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PTL4105
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON)。适用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTL4105
- 商品编号
- C49384233
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V；98mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
PTL4105采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)，该器件适用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- VDS = -40 V,ID = -5.3 A
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 120 mΩ
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 85 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池应用
- 负载开关