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PTF4N60实物图
  • PTF4N60商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PTF4N60

N沟道 600V 4A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:RDS(on)(典型值2.6Ω)@VGS = 10V。 改善的dv/dt能力,高耐用性。 100%雪崩测试。 最大结温范围:150℃
品牌名称
HT(金誉)
商品型号
PTF4N60
商品编号
C49384311
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.6Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.2nC@480V
输入电容(Ciss)550pF
反向传输电容(Crss)2.3pF
类型N沟道
输出电容(Coss)46pF

数据手册PDF