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PTL04C02
N沟道+P沟道 20V 3A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTL04C02
- 商品编号
- C49384227
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V；75mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V；3.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 328pF；280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF；28pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF；65pF |