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PTH150N04
N沟道 150V 4A
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- 描述
- 特性：VDS = 150V, ID = 4.0A。 RDS(ON) < 160mΩ @ VGS = 10V。 高密度单元设计，实现超低电阻。 完全表征雪崩电压和电流。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTH150N04
- 商品编号
- C49384219
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 902pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |