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BLP02N06-T
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- N 通道增强型功率 MOSFET 通过先进的双沟道技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。适用于同步整流和高速开关应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLP02N06-T
- 商品编号
- C49328366
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.348nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.519nF |
商品概述
BLP02N06是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于同步整流和高速开关应用。
商品特性
~~- 快速开关-低导通电阻-低栅极电荷-低反向传输电容-高雪崩耐量-符合RoHS标准的产品
应用领域
- 同步整流-高速开关应用