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RS4N65BD
N沟道 650V 4A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 低输入电容 (Ciss)。 快速开关。应用：LED电源。 手机充电器
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS4N65BD
- 商品编号
- C49317679
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.50696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 587pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
~~- 低栅极电荷-低输入电容(Ciss)-快速开关
应用领域
- LED 电源
- 手机充电器
- 备用电源
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