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INN700TK240B-L
700V GaN增强型功率晶体管
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- 描述
- 700V GaN-on-Silicon增强模式功率晶体管，采用TO-252封装。
- 商品型号
- INN700TK240B-L
- 商品编号
- C49274908
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ |
商品特性
- 增强型晶体管
- 常关型功率开关
- 超高开关频率
- 无反向恢复电荷
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 符合JEDEC标准的工业应用认证
- ESD保护
- 符合RoHS、无铅及REACH规范
应用领域
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
- 图腾柱功率因数校正
- 快速电池充电
- 高密度功率转换