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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

INN700TK240B-L

700V GaN增强型功率晶体管

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描述
700V GaN-on-Silicon增强模式功率晶体管,采用TO-252封装。
商品型号
INN700TK240B-L
商品编号
C49274908
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3832克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)10A
耗散功率(Pd)73W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2nC
输入电容(Ciss)79pF
反向传输电容(Crss)0.2pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)25pF
导通电阻(RDS(on))165mΩ

数据手册PDF