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INN100W032A
100V增强型氮化镓功率晶体管
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- 描述
- 基于硅的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用焊盘晶圆级芯片封装 (WLCSP)，封装尺寸为 3.5 mm x 2.13 mm。
- 商品型号
- INN100W032A
- 商品编号
- C49274913
- 商品封装
- WLCSP-8(2.1x3.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055882克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 460pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ |
商品概述
采用硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术，封装为焊条晶圆级芯片尺寸封装，尺寸为3.5毫米×2.13毫米。
商品特性
- 硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
- 极低的栅极电荷
- 超低的导通电阻
- 非常小的封装尺寸
- 零反向恢复电荷
应用领域
- 同步整流
- D类音频
- 高频直流-直流转换器
- 通信基站
- 电机驱动器