- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ISG6123TA
集成DESAT保护和门极钳位的E模式氮化镓场效应晶体管集成电路，适用于电源电子应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- ISG6123TA
- 商品编号
- C49274928
- 商品封装
- TOLL-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
商品概述
ISG6123 SolidGaN 集成电路无缝集成了 650V 增强型 GaN 场效应晶体管与先进功能，为电力电子应用在性能、易用性和可靠性方面树立了新标准。其集成的栅极钳位电路由精密的低压差线性稳压器驱动，可在 10V ~ 24V 的灵活栅极输入电压范围内为 GaN 场效应晶体管维持严格稳压的驱动电压，确保为 GaN 功率晶体管提供全面保护，防止过压应力，同时最大化 GaN 性能。该器件内置包括去饱和保护、输入欠压锁定和过温保护在内的保护功能，进一步确保了器件的鲁棒性和系统安全性。集成的米勒钳位可防止由漏极电压高 dv/dt 斜率引起的误开启。ISG6123 允许用户通过外部栅极电阻调整 GaN 场效应晶体管的开启和关断压摆率，此功能可优化电磁干扰和开关损耗。ISG6123 的高集成度，结合 GaN 场效应晶体管和强大的保护功能，使其适用于从元件数量少的简单配置到高频、高功率应用的各种场景。
商品特性
- 38mΩ 增强型 GaN，集成栅极钳位
- 650V 连续耐压，800V 瞬态耐压等级
- 10V ~ 24V 宽范围栅极输入电压
- 可通过外部栅极电阻调节开启与关断压摆率
- 基于精密低压差线性稳压器的集成栅极钳位，保护 GaN 器件
- 集成米勒钳位，提供 dv/dt 引起的直通保护：dv/dt 抗扰度高达 200V/ns
- 具备并联能力
- 零反向恢复电荷
- 工作频率高达 2MHz
- 内置去饱和保护、输入欠压锁定和过温保护
- 提供 TOLL-4L 封装
应用领域
- 高功率开关模式电源
- 交流-直流、直流-直流、直流-交流转换器
- 半桥和全桥转换器
- 电视电源、空调电源
- 太阳能微型逆变器、电机驱动、车载充电机