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ISG6124TA

集成栅极钳位和保护功能的E-Mode氮化镓固态集成电路

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品牌名称: Innoscience(英诺赛科)
商品型号: ISG6124TA
商品编号: C49274929
商品封装: TOLL-4L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.021333克(g)

商品参数

商品概述

ISG6124 SolidGaN IC 集成了一个650V增强型GaN FET与先进功能，为电力电子领域在性能、易用性和可靠性方面树立了新标准。其集成的栅极钳位电路由精密的基于LDO的电路驱动，可在10V至24V的灵活栅极输入电压范围内为GaN FET维持严格稳压的驱动电压，确保GaN功率晶体管免受过高电压应力的影响，同时最大化GaN性能。该器件内置了包括去饱和保护、输入欠压锁定和过温保护在内的多种保护功能，进一步确保了器件的鲁棒性和系统安全性。集成的米勒钳位可防止由漏极电压的高dv/dt斜率引起的误导通。ISG6124允许用户通过外部栅极电阻调节GaN FET的开启和关断斜率，该特性可优化电磁干扰和开关损耗。ISG6124的高集成度，结合GaN FET和强大的保护功能，使其适用于从元件数量少的简单配置到高频、高功率应用的各种场景。

商品特性

54mΩ增强型GaN，集成栅极钳位
650V连续电压，800V瞬态电压额定值
10V至24V的宽栅极输入电压范围
可通过外部栅极电阻调节开启和关断斜率
基于精密LDO的集成栅极钳位，用于保护GaN器件
集成米勒钳位，提供dv/dt引起的直通保护：dv/dt抗扰度高达200V/ns
具备并联能力
零反向恢复电荷
工作频率高达2MHz
内置去饱和保护、输入欠压锁定和过温保护
提供TOLL-4L封装

应用领域

大功率开关电源
AC-DC、DC-DC、DC-AC转换器
半桥和全桥转换器
电视电源、空调电源
太阳能微型逆变器、电机驱动、车载充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	24A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	数量	1个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	84pF
	导通电阻(RDS(on))	54mΩ