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INN040W048A
40V双向氮化镓增强型功率晶体管
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- 描述
- 双向硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用尺寸为 2.1 mm x 2.1 mm 的晶圆级芯片规模封装 (WLCSP)。
- 商品型号
- INN040W048A
- 商品编号
- C49274914
- 商品封装
- WLCSP-23(2.1x2.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 887pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 226pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输出电容(Coss) | 381pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ |
商品概述
采用2.1毫米×2.1毫米封装尺寸的晶圆级芯片尺寸封装双向硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
商品特性
- 双向阻断能力
- 硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
- 超低导通电阻
应用领域
- 高端负载开关
- 智能手机USB端口过压保护
- 多电源系统开关电路