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INN040W048A
40V双向氮化镓增强型功率晶体管
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- 描述
- 双向硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用尺寸为 2.1 mm x 2.1 mm 的晶圆级芯片规模封装 (WLCSP)。
- 商品型号
- INN040W048A
- 商品编号
- C49274914
- 商品封装
- WLCSP-23(2.1x2.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 13W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 887pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 226pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输出电容(Coss) | 381pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ |