- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ISG6124TD
集成门钳位和DESAT保护的E-Mode GaN固态集成电路
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- 商品型号
- ISG6124TD
- 商品编号
- C49274927
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 269pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 98pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ |
商品概述
ISG6124 SolidGaN 集成电路无缝集成了一个 700V 增强型 GaN 场效应晶体管与先进功能，为电力电子领域在性能、易用性和可靠性方面树立了新标准。集成栅极钳位电路由精确的基于低压差线性稳压器的电路驱动，可在 10V 至 24V 的灵活栅极输入电压范围内为 GaN FET 维持严格调节的驱动电压，确保为 GaN 功率晶体管提供全面保护，防止过压应力，同时最大化 GaN 性能。 ISG6124 允许用户通过外部栅极电阻调整 GaN FET 的开启和关断压摆率，从而优化电磁干扰和电源效率。该器件配备了包括去饱和保护、输入欠压锁定和过温保护在内的内置保护功能，进一步确保了器件的鲁棒性和系统安全性。集成的米勒钳位可防止由漏极电压的高 dv/dt 斜率引起的误开启。 ISG6124 的高集成度，结合 GaN FET 和强大的保护功能，使其适用于从元件数量少的简单配置到高频高功率应用的各种场景。
商品特性
- 集成栅极钳位的 59mΩ 增强型 GaN
- 700V 连续耐压，800V 瞬态耐压等级
- 10V 至 24V 的宽栅极输入电压范围
- 可调开启与关断压摆率
- 集成米勒钳位
- 高达 100V/ns 的 dv/dt 抗扰度
- 并联能力
- 零反向恢复电荷
- 高达 2MHz 的高频工作能力
- 内置去饱和保护的短路保护
- 输入欠压锁定与过温保护
- 提供 TO-247-4L 封装
应用领域
- 大功率开关模式电源
- 交流-直流、直流-直流、直流-交流变换器
- 半桥与全桥变换器
- 数据中心与人工智能服务器电源
- 空调、太阳能逆变器、电机驱动