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INN030FQ015A
30V增强型氮化镓功率晶体管
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- 描述
- 氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用 FCQFN 封装,尺寸为 5mm x 4mm。
- 商品型号
- INN030FQ015A
- 商品编号
- C49274915
- 商品封装
- FCQFN-25(4x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ |
商品概述
采用硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术，封装形式为FCQFN，封装尺寸为5 mm × 4 mm。
商品特性
- 硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
- 极低的栅极电荷
- 超低的导通电阻
- 零反向恢复电荷
应用领域
- 高频直流-直流转换器
- 电池充电器
- 电池管理系统
- 笔记本电脑
- 工业应用