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IXTH2N150L-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V漏源击穿电压（VDSS）和3.7A连续漏极电流（ID），适用于中高电压功率控制场景。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证开关性能的同时降低了导通损耗，栅源电压（VGS）最大支持20V，提升了器件的控制稳定性与适用范围。该器件可广泛应用于电源适配器、LED照明驱动、电机控制模块及其他电子设备中的功率调节电路，满足多种通用型高性能电路对效率与可靠性的需求。
- 商品型号
- IXTH2N150L-HXY
- 商品编号
- C49241791
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω |