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2SK3746-1E-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高耐压与中功率开关特性。主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压VGS为20V，具有良好的导通损耗控制和开关响应速度。适用于各类电源管理设备、充电控制模块、LED驱动电路及小型电器中的高频开关应用，满足多种高性能电力电子系统的设计需求。
- 商品型号
- 2SK3746-1E-HXY
- 商品编号
- C49241796
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω |
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