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NDUL03N150CG-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V的漏源耐压（VDSS），可支持最大3.7A连续工作电流（ID）。其导通电阻（RDON）为1000mΩ，配合20V栅源电压（VGS）可实现稳定开关控制。该器件适用于高电压隔离、电源转换及功率调节等应用场合，具备良好的热稳定性与动态响应特性。通过优化设计，确保在高频操作下仍能维持较低损耗，适合用于各类高效能电源管理系统中，提供可靠的功率控制解决方案。
- 商品型号
- NDUL03N150CG-HXY
- 商品编号
- C49241794
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω |