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NDTL03N150CG-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V的漏源击穿电压（VDSS）和3.7A的最大连续工作电流（ID），导通电阻（RDON）为1000mΩ，支持20V栅源电压（VGS）。该器件具有良好的开关性能和热稳定性，适用于高电压隔离、电源转换及功率调节等应用。其设计兼顾高频操作下的效率与稳定性，适合用于各类电子设备中的电源管理系统，实现高效、可靠的功率控制。
- 商品型号
- NDTL03N150CG-HXY
- 商品编号
- C49241795
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω |
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