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IXTH4N150-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID），适用于中高电压功率控制应用。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证良好导电性能的同时降低了功耗，栅源电压（VGS）最大支持20V，增强了器件的控制精度与稳定性。该器件适合用于电源转换、LED驱动、电机控制等电子电路中，具备良好的热稳定性和可靠性，可满足多种高性能功率电路的设计需求。
- 商品型号
- IXTH4N150-HXY
- 商品编号
- C49241792
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω |
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