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2SK2225-E-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压电路环境。最大漏极电流为3.7A（ID），导通电阻1000mΩ，具有良好的电流承载能力和较低的导通损耗。该器件广泛应用于电源变换、开关控制、直流稳压及高压调节等电子系统中，适合对效率与稳定性有要求的电力电子设计场景。
- 商品型号
- 2SK2225-E-HXY
- 商品编号
- C49241788
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω |
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