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HX1658-Q

2.7GHz SP8T开关,带MIPI RFFE接口,适用于分集应用

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描述
专为工作在100 MHz至3.0 GHz频率范围内的分集应用而设计的单刀八掷(SP8T)开关。其射频性能经过优化,可确保低插入损耗,从而满足所有3G/LTE标准的严格要求。只要没有直流电压施加到任何射频路径上,就不需要外部隔直电容。与RFFE串行控制兼容。从天线端口到任何接收端口的每条路径都具有低插入损耗,同时在相对和相邻路径之间保持高隔离度。实现了出色的线性性能,适用于3G和LTE应用。采用紧凑的2mm x 2mm、14引脚QFN封装,高度仅0.55mm,符合RoHS法规且无卤。根据JEDEC J-STD-020标准,在高达260℃的温度下,湿度敏感度等级为1(MSL1)。
商品型号
HX1658-Q
商品编号
C49181117
商品封装
QFN-14(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.040067克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录射频开关
电路结构单刀八掷
频率1.71GHz~2.17GHz;2.3GHz~2.69GHz;698MHz~960MHz
隔离度39dB
插入损耗0.6dB
属性参数值
P1dB-
工作电压2V;1.8V
工作温度-40℃~+90℃
功能特性集成控制逻辑

商品概述

HX1658-Q是一款专为分集应用设计的SP8T(单刀八掷)开关,工作频率范围为100 MHz至3.0 GHz。其射频性能经过优化,确保低插入损耗,满足所有3G/LTE标准的严格要求。只要射频路径上未施加直流电压,则无需外部直流阻断电容。HX1658-Q兼容RFFE串行控制。从天线端口到任何接收端口的每条路径均表现出低插入损耗,同时在相对和相邻路径之间保持高隔离度。此外,HX1658-Q实现了出色的线性度性能,适用于3G和LTE应用。该产品采用紧凑的2mm x 2mm、14引脚QFN封装,外形高度仅为0.55mm,符合RoHS法规且无卤。根据JEDEC J-STD-020标准,HX1658-Q在温度高达260°C时湿度敏感度等级为1级。

商品特性

  • ESD Class 1C
  • MIPI RFFE接口
  • 先进的SOI工艺
  • 低插入损耗
  • 8个对称射频端口
  • 绿色产品
  • 兼容UMTS、TD-SCDMA和LTE
  • 超小QFN封装尺寸,2mm x 2mm x 0.55mm,14引脚
  • 宽带支持0.1-3.0GHz
  • 优异的线性度

应用领域

  • UMTS/LTE分集

数据手册PDF