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AO2300
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS=20V，RDS(ON)，Vgs@4.5V，Ids@2.8A < 45mΩ。 RDS(ON)，Vgs@2.5V，Ids@3.1A < 65mΩ。应用：锂离子电池组应用
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO2300
- 商品编号
- C49046449
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 760mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS)=20V
- 栅源电压(Vgs)为4.5V、漏源电流(Ids)为2.8A时,导通电阻RDS(ON)<45mΩ
- 栅源电压(Vgs)为2.5V、漏源电流(Ids)为3.1A时,导通电阻RDS(ON)<65mΩ
- SOT-23封装
应用领域
- 锂电池组应用