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AO4446A
30V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。适用于作为负载开关或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4446A
- 商品编号
- C49046455
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 986pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
4446A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 该器件适用于作为负载开关,或用于大多数同步降压转换器应用中的脉宽调制(PWM)和栅极充电。
商品特性
- 30V/15A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 6.5mΩ(典型值)
- 30V/8A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 10mΩ(典型值)
- 超低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 高频负载点同步应用
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关