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AO4614S
双增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：N沟道40V/6.5A，RDS(ON) = 26mΩ (max.) @ VGS = 10V，RDS(ON) = 31mΩ (max.) @ VGS = 4.5V。 P沟道40V/5.5A，RDS(ON) = 72mΩ (max.) @ VGS = -10V，RDS(ON) = 92mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。 100% UIS测试。 可靠耐用。 无铅可用（符合RoHS标准）。应用：同步整流。 电机控制
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4614S
- 商品编号
- C49046461
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1895克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A；4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V；26mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.65V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.7nC@10V；15nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 815pF；668pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF；60pF | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 98pF；95pF |
商品概述
8822是一款双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造，具有出色的导通电阻RDS(ON)。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- N沟道
- 40V/6.5A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 26mΩ(最大值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 31mΩ(最大值)
- P沟道
- -40V/-5.0A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 72mΩ(最大值)
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 92mΩ(最大值)
- 100%进行UIS + Rg测试
- 可靠且耐用
- 提供无铅产品(符合RoHS标准)
应用领域
-同步整流-电机控制-风扇预驱动器H桥