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SI2309
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -60V, ID = -1.6A。 RDS(ON) < 160mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 200mΩ @ VGS = -4.5V。 高密度单元设计，实现超低 Rdson。 完全表征雪崩电压和电流。 良好的散热封装。应用：负载开关。 PWM 应用
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI2309
- 商品编号
- C49046457
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V；160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19.6pF |
商品概述
GT880P15T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -1.6A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 160 mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 200 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性经过全面表征
- 封装散热性能出色
应用领域
- 负载开关
- PWM应用