AO4608
AO4608
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- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4608
- 商品编号
- C49046460
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；22V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A；4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@-4.5V；33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW；800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC；2.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF；260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF；27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF；63pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V；±10V |
商品概述
AO4608采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关,还适用于众多其他应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 4.5A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 30mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 50mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -4.5A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装