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AO3011A
30V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO3011A
- 商品编号
- C49046454
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 855pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 243pF |
商品概述
3011A是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 30V/10A,RDS(ON) = 11mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 30V/5.0A,RDS(ON) = 16mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 30V/3.5A,RDS(ON) = 25mΩ(典型值)@VGS = 2.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3L封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数字相机
- LCD显示器逆变器