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G020P04TL
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-380A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.3mΩ@10V 1.8mΩ@4.5V @@封装：TOLL-8L
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G020P04TL
- 商品编号
- C49025136
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V；1.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 824nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.5nF |
商品概述
G020P04TL采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-40V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = -10V时）：-380A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -10V时）：< 1.5mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -4.5V时）：< 2.1mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器