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GC085N65QF
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：650V@@连续漏极电流(Id)：40A@@阈值电压(Vgs(th))：4.6V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：72mΩ@10V @@封装：TO-247
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC085N65QF
- 商品编号
- C49025176
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 299W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GC085N65QF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:650V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):40A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):85mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 超快体二极管
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器
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