- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
B3221PM3BDGVIW-U
低功耗DRAM（LPDDR4 FBGA），支持部分阵列自刷新、自动温度补偿自刷新，采用双数据速率架构
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- 描述
- 32GB 200 BALL LPDDR4 4266MH
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- B3221PM3BDGVIW-U
- 商品编号
- C49025477
- 商品封装
- FBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 低功耗
- 每存储体刷新
- 部分阵列自刷新（PASR）存储体屏蔽和段屏蔽
- 自动温度补偿自刷新（ATCSR），通过内置温度传感器实现
- 支持全存储体自动刷新和定向每存储体自动刷新
- 双数据率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分时钟输入（CK_t 和 CK_c）
- 双向差分数据选通（DQS_t 和 DQS_c）
- 命令在 CK_t 的上升沿和下降沿均有效；数据和数据掩码参考 DQS_t 的两个边沿
- DMI 引脚支持写数据掩码和 DBIdc 功能
- 最大数据速率：4266Mbps，向后兼容
- 每个通道八个内部存储体，用于并发操作
- 突发长度（BL）：16、32 和动态切换
- 动态切换模式通过模式寄存器设置启用
- 可编程读取延迟（RL）和写入延迟（WL）
- 预充电：每个突发访问具有自动预充电选项
- 可编程驱动强度
- 刷新：自动刷新，自刷新
- 刷新周期：8192 个周期/32ms - 平均刷新周期：3.9μs
- 工作温度范围：TC = -25°C 至 +85°C（标准）；TC = -40°C 至 +95°C（工业温度）
- 晶片密度：16Gbits
- 组织结构：x16 位：128M 字 × 16 位 × 8 存储体
- 一个封装中包含两片 16Gb（x16）晶片（适用于 32Gb 情况）
- 行地址：R0 ~ R16
- 列地址：C0 ~ C9
- 封装：200-ball FBGA
- 电源：VDD1 = 1.8V（1.70V 至 1.95V），VDD2、VDDCA 和 VDDQ = 1.1V（1.06V 至 1.17V）