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GC210N80FE
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进超结技术，适用于AC-DC SMPS、AC/DC电源转换和工业电源应用
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC210N80FE
- 商品编号
- C49025154
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
GC210N80FE 采用先进的超结技术与设计，提供优异的 RDS(on)、低栅极电荷和操作性能。该器件适用于工业 AC-DC 开关电源的功率因数校正、交直流电源转换以及工业电源应用需求。
商品特性
- VDS 800V
- ID (at VGS = 10V) 17A
- RDS(ON) (at VGS = 10V) < 210mΩ
- ESD (HBM) : 4KV
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC 转换器