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GT013N04Q
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：195A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.7mΩ@10V @@封装：TO-247
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT013N04Q
- 商品编号
- C49025144
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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