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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSG3024

高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片

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描述
NSG3024是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOP8封装,可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。
商品型号
NSG3024
商品编号
C49023241
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.20295克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)1.1A
拉电流(IOH)600mA
工作电压10V~20V
属性参数值
上升时间(tr)35ns
下降时间(tf)25ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)50uA

数据手册PDF

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