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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSG2066

集成自举的三相栅极驱动芯片

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描述
NSG2066是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2066输出能够提供较大的驱动能力,输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2066工作电压范围宽,高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效率。内部防直通和死区电路可以防止两个晶体管同时导通,进一步降低了开关损耗。NSG2066的欠压锁定功能确保了当供电电压较低时,两个驱动器输出都是低电平。NSG2066集成自举二极管,可最大优化芯片外围电路。
商品型号
NSG2066
商品编号
C49023244
商品封装
TSSOP-20​
包装方式
编带
商品毛重
0.21595克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数-
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)1.2A
工作电压5V~20V
上升时间(tr)40ns
下降时间(tf)15ns
属性参数值
传播延迟 tpLH150ns
传播延迟 tpHL150ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.5V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)700uA
功能特性内置自举二极管;交错导通保护;死区时间控制

商品概述

NSG2066是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,能够同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。其浮动通道驱动设计可支持高达250V的总线电压。该器件输出驱动能力强,拉电流和灌电流分别可达1.2A和1.5A。NSG2066工作电压范围宽,高侧和低侧栅极驱动电压均可优化以实现驱动效率。内部防直通和死区电路可防止两个晶体管同时导通,从而进一步降低开关损耗。其欠压锁定功能确保在供电电压不足时,两个驱动器输出均为低电平。NSG2066集成了自举二极管,可最大程度优化芯片外围电路。

商品特性

  • 自举工作的浮动通道
  • 最高工作电压可达250V
  • 栅极驱动电压范围5V~20V
  • 兼容3.3V/5V输入逻辑
  • dv/dt耐受能力可达±50V/ns
  • Vs负偏压能力达-9V
  • 高侧输入输出同相位
  • 低侧输入输出反相位
  • 芯片开通/关断延时,Ton/Toff =150ns/150ns,高低侧延时匹配
  • 防直通保护,死区时间:200ns
  • 高、低侧欠压锁定电路,欠压锁定正向阈值4.5V,欠压锁定负向阈值4.3V
  • 输出拉/灌电流能力:1.2A/1.5A
  • 宽温度范围 -40~125℃
  • 集成自举二极管
  • 符合RoHS标准
  • 采用TSSOP20封装

应用领域

  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用逆变器
  • 微型逆变器驱动

数据手册PDF