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NSG21275
带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- NSG21275是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装，可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG21275
- 商品编号
- C49023245
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.20465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 60uA |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个4000个/圆盘
总价金额：
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