温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSG21275
带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- NSG21275是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装，可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG21275
- 商品编号
- C49023245
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.20465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 60uA | |
| 功能特性 | 过流保护 |
商品概述
带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺实现高侧栅驱动电路的单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，在检测到过流状态时关断芯片输出，同时通过一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮地通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，最高工作电压可达+300V。采用SOIC8封装，工作温度范围为-40℃ ~ 125℃。
商品特性
- 采用自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+300V
- 兼容3.3V、5V和15V的输入逻辑
- dV/dt耐受能力可达±50V/ms
- Vs负偏压能力达-5V
- 输入与输出同相位
- 栅极驱动电压范围从8V到22V
- 栅极驱动拉电流和灌电流均为1.5A
- 集成欠压锁定电路
- 欠压锁定阈值为6.8V/7.2V
- 开通传输延时Ton和关断传输延时Toff均为150ns
- 工作温度范围为-40℃ ~ 125℃
- 提供FAULT引脚用于故障输出
- 符合RoHS标准，采用SOIC8封装
应用领域
- 电机控制和驱动
- 机器人技术
- 电动汽车快速充电