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NSG2184P
大电流、高低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- NSG2184P 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2184P
- 商品编号
- C49023242
- 商品封装
- DIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.808434克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
NSG2184P是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，采用单输入信号同时控制两个传输通道。该芯片内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路和防直通锁定电路等保护功能，具备大电流脉冲输出能力。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，最大输出电流能力可达4A，浮地通道最高工作电压可达700V。该器件适用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
商品特性
- 采用自举工作的浮动通道
- 最高工作电压为700V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dV/dt耐受能力可达±50 V/nsec
- Vs负压耐受能力达-9V
- 栅极驱动电压范围：10V到20V
- 集成高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
- 集成防直通死区逻辑
- 内置400ns死区时间
- 芯片开通/关断传输延时：Ton/Toff = 530ns/130ns
- 高、低侧延时匹配
- 驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 4.0A/4.0A
- 符合RoHS标准
- DIP8封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动程序