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NSG2113P
高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片
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- 描述
- NSG2113P是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP8封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2113P
- 商品编号
- C49023243
- 商品封装
- DIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.659743克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 17ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 15uA | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
NSG2113P是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺实现高、低侧栅驱动电路的单芯片集成。该器件具有独立的传输通道，其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出级具备大电流脉冲驱动能力。浮地通道最高工作电压可达700V，可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET。芯片内部集成高低侧关断逻辑，支持故障条件下的快速关断。该器件采用DIP8封装，工作温度范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 采用自举工作的浮地通道
- 最高工作电压可达700V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dV_s/dt抗扰度可达±50V/nsec
- V_s负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围10V - 20V
- 宽工作温度范围-40~125°C
- 集成欠压锁定功能
- 周期边沿触发关断逻辑
- 输入与输出同相位
- 逻辑与电源地之间允许±5V偏移
- 开通与关断传输延迟典型值为130ns/130ns
- 高、低侧传输延迟匹配
- 驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 4.0A / 4.0A
- 集成高、低侧欠压锁定电路，正向阈值8.9V，负向阈值8.2V
- 符合RoHS标准
- 采用DIP8封装
应用领域
- 通用逆变器
- 交流与直流电源中的半桥和全桥转换器
- 用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源
- 太阳能逆变器、电机驱动器和UPS